《科学》刊发ISMD团队的感存算一体研究成果
研究所在忆阻器存内计算研究领域取得重要进展
基于低维HfSeO的超低功耗忆阻逻辑器件
用于强化学习的可重构双WSe2晶体管突触单元
研究所物理不可克隆函数研究工作登《先进电子材料》封面
LiAlOx高性能忆阻突触研究刊登Nanoscale封面
新型相变存储材料刊登《JMCC》封面
我校与新思科技成立微纳电子设计联合实验室
蔡少棠忆阻器研究中心成立大会在华科成功举办
研究所光电突触晶体管工作登《Nanoscale》封面
Adv.Funct.Mater.刊登忆阻存算一体化研究
IEEE顶级会议IEDM接收研究所类脑计算工作
教师节| 愿ISMD所有老师桃李满天下
ISMD师生获全国大学生IC大赛一等奖
两支ISMD队伍参加中国创“芯”大赛获佳绩
ISMD博士生赴德参加MEMRISYS大会
