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研究所师生赴京参加忆阻器大会

【来源: | 发布日期:2018-07-08 】

中科院微电子所主办的2018年忆阻材料,器件和系统国际会议(MEMRISYS)于7月3日至5日在北京举行。此会携手学术界和产业界多位大咖,共同讨论当下最先进、最主流的忆阻器技术,会议内容涵盖从材料到器件、电路、系统直至应用层面的先进成果。MEMRISYS 2018连续三天进行。期间,六位杰出的科学家受邀做大会报告,针对其业内领先的研究成果加以介绍,展示当前最先进的技术和未来科学、技术和产业发展的新机遇。此会与我们实验室忆阻器的研究方向高度一致,因此研究所很多老师和同学参与了交流报告。

中科院微电子所的刘明院士首先介绍了MEMRISYS的历史并畅谈了存储器的构架和最新发展,为会议定下了热烈讨论的基调。

ISMD研究所所长缪向水教授受邀做了第一天下午的keynote报告,主题是“Recent progress inmemristive reconfigurable logic for in-memory computing”,讲述了实验室把忆阻器应用在逻辑重构和计算的前沿工作,在会场得到热烈反响,得到一致好评。

同时,学生王标做了“Enhanced switching uniformity and resistance states by built-in oxygen concentration gradient” 的口头报告,其主题是基于TaOx氧浓度梯度的忆阻器器件性能改善,极大的增加了器件稳定性和操作电压,工业界人士对此表现了极大兴趣。

同时参与口头报告的还有李世杰同学,其主题为“Feature Extraction for Face Classification Based on Memristor”,重点讨论了忆阻器应用时其非线性度对仿真收敛速度和结果的讨论,也引起了不少关注。

学生程龙和陈博伟也分同时进行了“Reconfigurable parallel in-memory computing in memristive crossbar array”和“Pattern Recognition Through Unsupervised Learning by Lithium Silicate Synapses”的海报展示。

此外,还有很多老师和学生参加了会议,同科研界和产业界进行了深入的探讨交流。下面是部分老师和同学的合影。