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博士生段念和林琪获IEEE ICTA最佳论文提名

【来源: | 发布日期:2018-11-25 】

第一届IEEE集成电路技术与应用国际会议(2018 IEEE International Conference on Integrated Circuits,Technologies and Applications)于2018年11月21-33在北京举行。本届主题为”应用于物联网(IoT)和5G中的传感器和集成电路与系统”。ICTA会议由国内年轻学者发起和资助,由包括清华大学,复旦大学,澳门大学,中国科技大学,中科院等几所高校联合发起。本次会议包含模拟和混合信号IC,半导体制程与器件技术,5G中的IC技术,物联网中的IC和传感器技术等14个主题,涵盖了从IC技术的底层进展,到集成电路设计,到芯片设计与流片,到IC应用的各个领域(生物医学,物联网,5G,高速互联)等范围。领域内学者共同探讨未来IC的发展方向。本次会议投稿140多篇,其中选取11篇作为最佳会议提名,研究所博士生段念和林琪在王兴晟教授的带领下参会,并获得最佳论文提名(Best Paper Nomination)

研究所博士生段念在”Emerging Device Technologies”环节做了题为“Low TemperaturePolycrystalline Silicon Thin Film Synaptic Transistor with Bilingual Plasticityfor Neuromorphic Computing”的lecture presentation. 该研究工作利用了稳定性好、CMOS工艺技术兼容的低温多晶硅薄膜晶体管作为人工突触,模拟了兴奋性突触后电流、抑制性突触后电流、双脉冲易化等突触功能;另外,该工作引入突触晶体管器件背栅电极作为调控端,成功实现了兴奋性突触行为和抑制性突触行为的相互转换。该工作为神经网络提供了潜力巨大的突触器件。

研究所博士林琪在”Memory Device and Process”环节做了题为”A selectorwith special design for high on-current and selectivity”的 lecture presentation。该研究工作提出了一种特殊的选通管设计方法来稳定而有效地获得高开关比和高开态电流的选通管,应用于三维交叉点阵结构的存储器(3D crosspoint memory)当中。根据该方法设计得到的选通管不仅可以实现高开关比和高开态电流,并且具有非常好的器件微缩性,和开关速度随脉宽减小而改善的能力,有望应用于未来的三维交叉点阵结构的存储器件当中。三维交叉点阵架构作为目前存储密度最高的存储器架构,可广泛应用于下一代存储器当中来提高集成度,包括磁存储器,阻变存储器,相变存储器。