信息存储材料及器件研究所
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“忆阻器之父”蔡少棠教授来访交流

【来源: | 发布日期:2019-03-05 】

2019年3月4日,美国加州大学伯克利分校电气工程与计算机科学系教授、欧洲科学院和匈牙利科学院的外籍院士、被誉为“忆阻器之父”的蔡少棠(Leon Chua)教授应邀做客信息存储材料及器件研究所,与ISMD研究所师生进行了深入的学术交流。

作为华裔科学家中的翘楚,蔡少棠教授素有“忆阻器之父”“非线性电路理论之父”“细胞类神经网络之父”等诸多美誉,并于2005年成为电气电子学会(IEEE)电路与系统领域最高奖——古斯塔夫·罗伯特·基尔霍夫奖(Gustav Robert Kirchhoff Award)首位得主。1971年,蔡少棠教授在理论上预测了忆阻器的存在。在他预测忆阻器存在的三十七年后,由惠普公司的研究小组开发出了能工作的固态忆阻器,同年,忆阻器的物理实现被美国《时代》(Time)周刊评为年度50项最佳发明之一,还入选美国《连线》(Wired)年度十大科技突破。忆阻器是一种与磁通量和电荷相关的无源电路元件,被认为是继电阻、电容、电感之后的第四种电路基本元件,这一个概念的提出和实现给传统电路理论带来了根本性的变革。忆阻器在新一代信息技术诸多领域(包括低功耗类脑计算、非易失逻辑、数据存储等)有着广阔的应用前景,成为近年来备受关注的新型纳米器件,并引起国内外众多高校、科研机构、业界主要半导体公司的广泛关注和投入。

蔡少棠教授此次来访,与ISMD研究所老师同学进行了深入的讨论交流,蔡少棠教授的到访必将推动研究所在相关领域的研究,使研究所的工作取得更进一步的成果。