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缪向水教授

【来源: | 发布日期:2017-06-22 】

姓 名: 缪向水  

职称:教授(教育部“长江学者”特聘教授、国务院享受政府特殊津贴专家)

专业方向:信息存储材料及器件

个人简介:

华中科技大学集成电路学院院长、武汉国际微电子学院院长、光学与电子信息学院副院长、武汉光电国家研究中心微纳电子学方向召集人、信息存储材料及器件研究所所长、蔡少棠忆阻器研究中心主任;

华中科技大学校学术委员会委员、市政府第八届决策咨询委员会委员、湖北省集成电路产业发展专家咨询委员会副主任;

国家先进存储产业创新中心首席科学家、湖北江城实验室副主任兼首席科学家、先进存储器湖北省重点实验室主任、湖北省微电子工程研究中心主任、湖北省薄膜材料检测技术工程实验室技术委员会主任、华中科技大学-长江存储联合实验室主任、华中科技大学-华为联合实验室主任。

学习工作经历

1982 年至1986 年 华中工学院(现华中科技大学)电子材料与元器件专业本科生;

1986 年至1989 年 华中理工大学(现华中科技大学)电子材料与元件专业硕士研究生;

1994年至1996 年 华中理工大学(现华中科技大学)电子材料与元器件专业博士研究生;

1989 年至1996 年 任华中理工大学(现华中科技大学)助教、讲师、副教授;

1996 年至1997 年 任香港城市大学副研究员、研究员;

1997 年至2007 年 任新加坡国立大学/国家数据存储研究院首席研究工程师、4 级科学家;

2007 年至现在 任华中科技大学教授、博士生导师。

学术兼职:

中国存储器产业联盟副理事长、中国半导体三维集成制造产业联盟副理事长、中国仪表功能材料学会副理事长、中国微米纳米技术学会常务理事、中国真空学会薄膜专委会副主任委员。

学科专业

(1) 电子科学与技术专业/集成电路与集成系统方向或微电子技术方向(学术学位);

(2) 集成电路工程专业或新一代电子信息技术专业 (专业学位)

(3) 集成电路科学与工程专业/先进存储器方向(学术学位)

(4)人工智能专业/认知计算与类脑智能方向(学术学位)

联系方式:

电话:027-87792091

Email: miaoxs@ hust.edu.cn

办公地点:华中科技大学光电信息大楼D732

主要成果:

主要从事三维相变存储器、忆阻器、类脑智能计算与逻辑运算等信息存储材料及器件方向的研究。近年来主持承担了国家重点研发计划项目、国家02重大专项课题、国家863重大项目课题、863面上项目、国家国际科技合作项目、国家自然科学基金项目等科研项目。已发表论文300余篇,获得美国发明专利授权8项,授权中国发明专利135项。

科研获奖:

  (1)“薄膜材料热特性测试技术及仪器”, 湖北省技术发明一等奖,2020年

(2)“Superlattice-like rewritable phase-change optical media”, National Technology Award(Singapore) 新加坡国家技术奖(年度唯一),2004年

(3)“加固光盘技术研究”,国家科技进步奖,1998年

(4)“宽温光记录材料工艺研究”,国家科技进步奖,1992年

代表性著作和论文(2018-2021):

 (1)忆阻器导论,缪向水等,2018年,科学出版社

(2)2D materials-based homogeneous transistor-memory architecture for neuromorphic hardware, Science, DOI: 10.1126/science.abg3161,2021

(3)Forming-free and Annealing-free V/VOx/HfWOx/Pt Device Exhibiting Reconfigurable Threshold and Resistive switching with high speed and high endurance,Oral presentation,IEDM International Electron Devices Meeting,2021

(4)Complementary Graphene-Ferroelectric Transistors as Synapses with Modulatable Plasticity for Supervised Learning,Oral presentation,IEDM International Electron Devices Meeting,2019

(5)Recent advances on neuromorphic devices based on chalcogenide phase-change materialsAdvanced Functional Materials,30, 2003419, 2020

6Functional Demonstration of a Memristive Arithmetic Logic Unit (MemALU) for In‐Memory Computing, Advanced Functional Materials, 29,19056602019

7Synaptic Suppression Triplet-STDP Learning Rule Realized in Second-Order Memristors,  Advanced Functional Materials, 28, 17044552018

(8)Recent progress on memristive convolutional neural networks for edge intelligence, Advanced Intelligent Systems,2, 2000114 , 2020

9Effects of Temperature on the Performance of HfZrO Based Negative Capacitance FETs,  IEEE Electron Device Letters, 41, 1625, 2020

10Low-Power Artificial Neurons Based on Ag/TiN/HfAlOx/Pt Threshold Switching Memristor for Neuromorphic ComputingIEEE Electron Device Letters, 41, 1245, 2020

11Forming-free, fast, uniform, and high endurance resistive switching from cryogenic to high temperatures in W/AlOx/Al2O3/Pt bilayer memristorIEEE Electron Device Letters415492020

12High-Precision Symmetric weight update of memristor by gate voltage ramping method for convolutional neural network acceleratorIEEE Electron Device Letters, 41, 353, 2020

13Ultra-low Program Current and Multilevel Phase Change Memory for High Density Storage Achieved by a Low Current SET Pre-operation, IEEE Electron Device Letters, 40, 1595, 2019.

14Coexistence of digital and analog resistive switching with low operation voltage in oxygen-gradient HfOx memristors, IEEE Electron Device Letters40, 10682019

15Composition-Dependent Ferroelectric Properties in Sputtered HfXZr1XO2Thin Films, IEEE Electron Device Letters40, 5702019

16LiSiOX-Based Analog Memristive Synapse for Neuromorphic Computing, IEEE Electron Device Letters, 40, 542, 2019

17)Reconfigurable Boolean Logic in Memristive Crossbar: The Principle and Implementation,  IEEE Electron Device Letters,  40 , 200, 2019

18Reducing Forming Voltage by Applying Bipolar Incremental Step Pulse Programming in a 1T1R Structure Resistance Random Access MemoryIEEE Electron Device Letters39, 8152018

19Dual-Layer Selector With Excellent Performance for Cross-Point Memory Applications, IEEE Electron Device Letters39, 4962018

20Memcomputing: fusion of memory and computing, SCIENCE CHINA Information Sciences,  61, 0604242018


授权中国发明专利135项,授权美国专利8项:

(1) 缪向水、童浩、程晓敏, MULTI-LAYER PHASE CHANGE MATERIALS, 2017.1.10, 美国,US 9543510

(2) 缪向水、李祎、钟应鹏,NON-VOLATILE LOGIC DEVICE BASED ON PHASE-CHANGE MAGNETIC MATERIALS AND LOGIC OPERATION METHOD THEREOF,2017.1.10,美国,US 9543955

(3) 缪向水、李祎、钟应鹏、许磊,ASSOCIATIVE MEMORY CIRCUIT,2017.2.7,美国 ,US 9564218

(4) 缪向水、李祎、钟应鹏、许磊、孙华军、程晓敏,NONVOLATILE LOGIC GATE CIRCUIT BASED ON PHASE CHANGE MEMORY,2016.6.14,美国,US 9369130

(5) 缪向水、周亚雄、李祎、孙华军,NON-VOLATILE BOOLEAN LOGIC OPERATION CIRCUIT AND OPERATION METHOD THEREOF,2016.10.28,美国,US 9473137

(6) 缪向水、李祎、钟应鹏、许磊、孙华军、徐小华,JOINT SHORT-TIME AND LONG-TIME STORAGE DEVICE AND STORAGE METHOD THEREOF,2016.8.16,美国,US 9418733

(7) 刘群、张涛、缪向水、李祎、周亚雄, Memristor-based processor integrating computing and memory and method for using the processor,2018.07.10,美国,US10020054

(8) 缪向水、童浩、马立樊,Phase-change memory cell with vanadium oxide based switching layer,2021.07.06,美国,US11056644