籍贯： 山东菏泽
研究方向：忆阻类脑器件及神经形态运算
Email: yangrui@hust.edu.cn
工作 经历
2021.03－至今 华中科技大学光学与电子信息学院 教授
2018.11－2021.02 华中科技大学材料科学与工程学院 教授
2013.06－2018.10 华中科技大学材料科学与工程学院 副教授
2010.08－2013.06 日本物质·材料研究机构(NIMS) 博士后
教育背景
2007.09－2010.07 中国科学院上海硅酸盐研究所 材料物理与化学 博 士
2004.12－2007.07 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室 硕士（联合培养）
2004.09－2004.12 中国地质大学（武汉） 材料学 硕士课程学习
2000.09－2004.07 中国地质大学（武汉） 材料科学与工程 学 士
主持科研项目
1.2019.01－2021.12：国家自然科学基金联合项目：基于同步辐射的钙钛矿关联氧化物类电池忆阻突触权重调控及其阻变机制研究（U1832116）54万，主持
2.2018.01－2021.12：国家自然科学基金面上项目：超薄二维过渡金属硫化物二阶忆阻突触器件及其阻变机制研究（51772112）60万，主持
3.2014.01－2016.12：国家自然科学基金青年基金项目：模拟神经突触可塑性的过渡金属氧化物电阻转变效应研究（51302095）25万，主持，已结题
4.2019.01－2021.12：华中科技大学材料学院学科前沿交叉提升计划：忆阻型类脑器件与脑启发人工智能，30万，主持
5.2016.01－2018.12：华中科技大学材料学院优材计划：柔性忆阻器的类突触神经功能研究（2016YXZD058）40万，主持，已结题
6.2014.03－2015.12：华中科技大学自主创新研究基金：类神经突触忆阻器件的研制（2014TS024）10万，主持，已结题
7.2015.01－2016.12：2014 年度高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放课题基金:忆阻器智能连接器件的研制(SKL201408SIC) 10万，主持，已结题
10篇代表性论文及专利
代表性论文（第一作者以#标识，通讯作者以*标示）：
1.Rui Yang*, He-Ming Huang, Xin Guo*, Memristive Synapses and Neurons for Bioinspired, Advanced Electronics Materials, 2019, 17, 1700046
2.He-Ming Huang, Rui Yang*, Zheng-Hua Tan, Hui-Kai He, Wen Zhou, Jue Xiong, Xin Guo*, Quasi-Hodgkin–Huxley Neurons with Leaky Integrate-and-Fire Functions Physically Realized with Memristive Devices, Advanced Materials, 2019, 31, 1803849.
3.Zheng-Hua Tan, Rui Yang*, Kazuya Terabe, Xue-Bing Yin, Xiao-Dong Zhang, Xin Guo*. Synaptic Metaplasticity Realized in Oxide Memristive Devices. Advanced Materials, 2016, 28, 377-384.
4.Rui Yang#,*, He-Ming Huang#, Qing-Hui Hong#, Xue-Bing Yin, Zheng-Hua Tan, Tuo Shi, Ya-Xiong Zhou, Xiang-Shui Miao, Xiao-Ping Wang*, Shao-Bo Mi, Chun-Lin Jia and Xin Guo*. Synaptic Suppression Triplet-STDP Learning Rule Realized in Second-Order Memristors, Advanced Functional Materials, 2018, 28, 1704455.
5.Jue Xiong, Rui Yang*, Jamal A. H. Shaibo, He-Ming Huang, Hui-Kai He, Wen Zhou, Xin Guo*, Bienenstock, Cooper and Munro Learning Rules Realized in Second-Order Memristors with Tunable Forgetting Rate, Advanced Functional Materials, 2019, 29, 1807316.
6.He-Ming Huang, Yu Xiao, Rui Yang*, Ye-Tian Yu, Hui-Kai He, Zhe Wang, and Xin Guo*, Implementation of Dropout Neuronal Units Based on Stochastic Memristive Devices in Neural Networks with High Classification Accuracy, Advanced Science 2020, 7, 2001842
7.Hui-Kai He, Rui Yang*, He-Ming Huang, Fan-Fan Yang, Ya-Zhou Wu, Jamal Shaibo, and Xin Guo*, Multi-gate Memristive Synapses Realized with Lateral Heterostructure of 2D WSe2 and WO3, Nanoscale, 2020, 12, 380-387.
8.Hui-Kai He, Rui Yang*, Wen Zhou, He-Ming Huang, Jue Xiong, Lin Gan, Tian-You Zhai, Xin Guo*. Photonic potentiation and electric habituation in ultrathin memristive synapses based on monolayer MoS2. Small, 2018,15, 1800079.
9.Dan-Chun Hu, Rui Yang*, Li Jiang, Xin Guo*. Memristive synapses with photoelectric plasticity realized in ZnO1-x/AlOy heterojunction. ACS Applied Materials & Interfaces 2018, 10, 6463.
10.Rui Yang*, Kazuya Terabe, Guangqiang Liu, Tohru Tsuruoka, Tsuyoshi Hasegawa, James K. Gimzewski, and Masakazu Aono. On-demand nanodevice with electrical and neuromorphic multifunction realized by local ion migration, ACS Nano, 2012, 6, 9515.
代表性专利：
1.杨蕊，何慧凯，江勇波，黄腾，基于碲化钼的忆阻器及其制备方法、非易失性存储器，中国发明专利，申请号202011154078.0
2.杨蕊，郭新，黄鹤鸣。一种基于忆阻器电池效应的人工神经元，申请号：2018110752826
3.杨蕊，郭新，黄鹤鸣，肖宇，余晔恬。一种基于忆阻器随机丢弃神经元，申请号：202010225486.4.
4.杨蕊，郭新，谈征华，洪庆辉，尹雪兵，黄鹤鸣，王小平。一种基于忆阻器件的神经元电路，中国专利，公开号：ZL201611235356.9
5.寺部一弥，ヤン ルイ（楊蕊），鶴岡徹，長谷川剛，青野正和，多機能電気伝導素子，日本专利，申请日期2012年10月24日，公开号：特開2014-146633
荣誉与奖励
1. 2020年入选“华中卓越学者”晨星岗II
2. 2018-2019年度校教学竞赛二等奖
3. 2017-2018年度校优秀教师班主任
4. 2018-2020年材料学院主讲教授
