设备名称

JZCK-6400S型磁控溅射镀膜仪

设备展示

设备简介

本磁控溅射设备是辽宁沈阳聚智公司所生产，仪器配有6个靶位和6个基片位，可实现多个靶材同时溅射；基片架可同时自转公转，提高薄膜均匀度。仪器配有3个直流电源和2个射频电源，且具有基片加热功能，溅射腔最高真空度可达5.0×10^-6Pa。系统主要由溅射真空室、进样室、永磁磁控溅射靶、基片加热台、直流电源、射频电源、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。

实验室靶材柜备有金、铂、钨、镍、银、镁、铜、锌、铝、铬、钛、钽等全部常用金属，氧化硅、碳化硅、氧化铪等非金属材料，以及G-S-T系列硫系化合物材料和常见磁性、陶瓷材料。

技术指标

1、基片尺寸：大真空室：≤Φ6英寸×6片；

2、基片加热器温度：大真空室：室温~650℃；温度可用电脑编程控制，可控可调。

3、基片公转+自转，旋转速度0~50转/分。

4、靶面到基片距离50~150mm在线可调（电脑控制，手动或自动方式）。

5、基片架可加热、可冷却、可旋转、可升降。

6、极限真空：5×10^-6Pa，恢复工作真空7×10^-4Pa；30-40分种（新设备充干燥氮气），设备总体漏放率：关机12小时真空度≤10Pa

注意事项

1.靶材使用过程：靶材打磨按照规定，功能层材料靶材应该用细砂纸打磨，其他靶材优先用细砂纸，打磨不动的用粗砂纸打磨，注意轻拿轻放。

2.组装挡板时应该注意一只手扶住挡板，另外一只手扭动螺丝，严禁单手操作。

3.抽气时应该注意抽气速率是否正常，是否存在漏气情况。抽气结束后要检查分子泵温度是否正常，是否存在交流适配器未关的情况，确认完毕后方能离开。

4.溅射完成后立即关闭相应的电源（交流还包括适配器），在多步溅射的情况时间较长，严禁长时间打开电源、适配器进行等待降温过程。电源示数闪烁，此时常伴随辉光不稳的现象，如检查操作无误，应终止实验并记录该问题。

5.放拖时应注意托盘是否归位。

6.关腔时应注意将腔盖与腔体对准后再关闭，尽量减少磨损。

做溅射时应该首先记录好背景真空再冲氩气，溅射过程中出现的任何问题都应该记录在实验记录本上（几号靶、何种靶难以甚至未起辉，辉光出现闪烁不稳等），方便排查故障。