2018年国际超大规模集成电路技术、系统暨应用研讨会（2018 VLSI-TSA）于2018年4月16日-19日在台湾地区新竹市举行。VLSI-TSA由台湾地区工业技术研究院（ITRI）主办，IEEE联合主办，为来自世界各地的专家在半导体研究，开发和制造领域的技术交流创建年度平台。会议邀请工研院、Intel、台积电、意法半导体等专家分享最新趋势，引领半导体再创高峰，纳米级的微处理器电路设计、硅光子、半导体异质整合是半导体下一波发展的关键技术，将是半导体产业下一波的成长契机。会议总计超过70多场专题演讲和优质论文发表。

ISMD博士生陈佳在阻变存储器（T6: RRAM）分会场做了题为“T6-3: Synaptic Properties Considering Temperature Effect in HfO_X-Based Memristor–Demonstration of Homo-thermal Synaptic Behaviors”的口头报告。该研究工作通过与美国美光（Micron）张耀峰博士、韩国首尔国立大学Sungjun Kim博士合作，获得了不同阻变机制（导电细丝机制和界面效应机制）的HfO_X忆阻器在不同温度下的电导连续多阶可调的突触特性功能。本研究团队利用基于忆阻突触器件的反向传播神经网络仿真分析，提出由于导电细丝机制的HfO_X难以实现脉冲操作下电导连续调节，应用于神经网络中的学习性能较差，而界面效应机制的HfO_X器件具有良好的电导多阶特性，并且在四个测试温度下均能展现较好突触特性（高温耐受），应用于神经网络模式识别任务中性能不受温度变化影响。相关研究成果有望为神经计算芯片硬件实现中克服芯片发热问题对突触器件功能的影响提供研究思路。

‘