受缪向水教授邀请，2017年5月16日，来自新加坡国立大学的CHEN Jingsheng教授在光学与电子信息学院南五楼612室进行了第61期“光电信息大讲堂”的讲座，为广大师生作了题为《Perovskite oxide thin films for the application of non-volatile memory》的报告。
CHEN Jingsheng是新加坡国立大学材料科学与工程系副教授，他于1999年在兰州大学获得博士学位，1999-2001年在南洋理工大学从事博士后研究，2001-2007年在新加坡国家数据存储研究院（DSI）任资深研究科学家，2007年入职新加坡国立大学。他开发的多项技术被世界上最大的硬盘公司美国希捷应用在产品上，并获得了新加坡科学技术部、教育部和国家研究基金会超过1400万新加坡元的资助。他目前正在领导一项900万新加坡元的项目开发低功耗信息存储器。他的研究领域包括纳米磁性存储材料、电子强关联氧化物多铁性材料、自旋电子学、纳米团簇的光学和磁学性质。他是多个期刊的编委会成员，如Scientific Reports(Nature publisher), Spin(World Scientific publisher) 等, 是SG-SPIN联盟管理委员会成员。他撰写或合著了200多篇期刊论文和3本书，他引次数超过3000次，H指数为26，并多次在国际会议上做特邀报告。
高密度、高速低功耗非易失性固态存储器是支撑大数据时代信息爆炸式发展的基础，钙钛矿氧化物薄膜材料展示了非常多的有趣的耦合特性，在此次报告中，他为我们带来了课题组在该领域的最新进展。报告包括“铁电隧道结非易失存储器”、“LaSrMnO3中的多铁特性”、“铁电极化对自旋力矩转移的调制作用”等三个方面的内容。
1）压控铁电隧道结是一种有效的低功耗存储器件。团队利用PLD制备了0.8nm厚的BaTiO3隧道结展现出了约为400%的TER。通过工艺优化，该团队在硅基上外延生长了Pt/BaTiO3/La0.67Sr0.33MnO3铁电隧道结，该器件展现出远优于Flash的读写及保持特性。同时，该团队与我院缪向水教授团队合作，利用铁电隧道结的超大阻变窗口，实现了超大可调范围的电子突触器件。
2）通过利用铁电和磁性材料之间的界面耦合效应，团队成功制备了人工复合多铁材料。在不同极化方向的BTO薄膜上生长的La0.67Sr0.33MnO3磁性材料，其饱和磁化强度得到很大的提升。
3）Rashba效应和自旋霍尔效应被认为是自旋轨道角动量的产生原因，该团队利用铁电材料产生的电场去影响和调制自旋轨道角动量，从而得到了纯电场调控的自旋器件。团队制备得到了阻尼系数在10-4量级的LaSrMnO3材料。
华中科技大学光学与电子信息学院副院长吕文中教授主持了本期论坛, 并为Chen Jingsheng教授颁发了“光电信息大讲堂”纪念杯，来自光电学院和其他院系的师生倾听了本次报告。
