2017年11月4-5日，第二届武汉忆阻理论、器件与应用研讨会（The 2nd Workshop on Memristor Theory, Device and Applications in Wuhan）与第十届国际光子与光电子学会议（POEM 2017）同期举行。本次研讨会由华中科技大学主办，我院缪向水教授担任研讨会主席。研讨会很荣幸地邀请到“忆阻器之父”、美国加州大学伯克利分校Leon O. Chua（蔡少棠）教授做主题报告。来自北京大学、复旦大学、南京大学、中科院微电子所、中科院宁波材料所、国防科技大学、西南大学、东北师范大学、华中科技大学等国内单位的忆阻器研究人员也亲临会场，分享了最前沿和重要的研究成果，为参会者奉献了精彩的邀请报告。
本次研讨会上，我校荣誉教授蔡少棠先生以“10 Things You Didn't Know About Memristors”为题作了主题演讲，从数学和物理的角度介绍了忆阻器和忆阻系统的基本概念与定义，介绍了忆阻器作为第四种基本电路元件在大自然中的各类宏观表象，并简要介绍了忆阻器在存储、神经形态计算、非冯·诺依曼计算等方面的应用。
本次会议分为三个研讨主题：非易失半导体存储器、忆阻器与神经形态计算、以及忆阻器与非冯·诺依曼计算。
围绕非易失半导体存储器主题，中科院微电子所吕杭炳研究员介绍了领先的阻变存储器3D集成研究的近期进展，讨论了忆阻器阻变机制、忆阻阵列结构及集成和忆阻器主要应用前景及挑战；北京大学杨玉超研究员介绍了利用TEM和SPM等微观表征手段来揭示忆阻器电阻转变过程中导电通道演化的研究，并展示了忆阻器在神经形态计算和逻辑运算领域的新应用；南京大学万青教授综述了基于电双层效应的晶体管作为突触在神经形态系统中的应用，介绍了多端晶体管作为突触器件的研究概况；华中科技大学徐明教授介绍了缺陷在相变存储器电阻转变和性能调控中的关键作用材料，提出了通过缺陷调控来提升器件性能的方法；华中科技大学薛堪豪副教授介绍了第一性原理在研究铁电非易失存储器的疲劳和漏电机理中的作用，并阐述了HfOx忆阻器和铁电特性的关系。
针对忆阻器与神经形态计算主题，中科院宁波材料所诸葛飞研究员介绍了基于硫化锌薄膜的超灵敏忆阻突触器件，该突触器件的操作电压幅值可以低至毫伏级；华中科技大学杨蕊副教授介绍了在二阶忆阻器中实现突触再可塑性、三脉冲STDP、神经元积分放电功能和联想学习等功能的工作；东北师范大学王中强副教授介绍了一种能应用于神经形态计算的肖特基异质结构器件，通过调制耗尽区宽度调制实现了忆阻器和忆容器的共存；国防科技大学李清江博士介绍了GeSe突触器件及基于CMOS神经元的工作进展；西南大学段书凯教授介绍了一种基于忆阻器的紧凑型多层CNN模型，对其动态范围和稳定性进行了数学分析，并且介绍了其在彩色图像处理中的应用。
在忆阻器与非冯·诺依曼计算应用主题下，北京大学康晋峰教授介绍了基于氧化物忆阻器的非易失逻辑计算方法，为未来人工智能、物联网、大数据等应用提供了潜在的解决方案；复旦大学薛晓勇博士综述了嵌入式和高密度阻变存储器电路设计的最新进展情况，并预测了未来研究和生产可能会面临的挑战及机遇；中科院宁波材料所高双博士介绍了阻变存储器中量子电导和光电导特性在逻辑计算中的应用及进展；华中科技大学李祎博士介绍了计算与存储融合的非冯·诺依曼计算架构概念及原理，并展示了基于忆阻器实现可重构布尔逻辑计算的相关工作。
此外，各单位7位优秀研究生也通过口头报告展示了相关研究进展。
本次研讨会是以忆阻器研究为主题的专题研讨会，延续了2015年“首届武汉忆阻理论、器件及应用研讨会”把握前沿发展方向、聚焦当下研究热点等宗旨，集结国内最优秀的忆阻器研究人员共同分享最新研究成果，是一次颇为难得的盛会。相信本次会议的召开能够进一步促进兄弟单位之间的紧密合作，推动国内忆阻器领域的蓬勃发展！
