2018年非易失存储技术大会（Non-Volatile Memory Technology Symposium，NVMTS）于2018年10月22日-24日在日本仙台举行。NVMTS 2018会议的主办方包括东北大学（Tohoku）、电气和电子工程师协会（IEEE）等在内的众多知名科研机构。今年是NVMTS会议第18次成功举办，该会议聚焦于新型存储技术，包括磁存储器（MRAM）、相变存储器（PCRAM）、阻变存储器（RRAM）、铁电存储器（FeRAM）以及闪存（FLASH）等。该会议为来自世界各地的学者们搭建了一个学术交流的平台，学者们在此共同思考及讨论现有和新兴的存储技术将要面对的机遇和挑战，力图共同推进存储技术的进一步发展。

研究所博士生冯金龙做了题为“Investigation of vacancy role in the amorphization of GeTe by Au-doping”的Poster展示。该研究旨在利用Au掺杂调剂GeTe中的空位浓度，进而研究Ge空位在GeTe相变过程中的作用。该研究首次利用逾渗理论将材料的微观结构（配位数）与其宏观表现（非晶化过程阈值）相结合，有望为相变材料的研究提供新的研究思路并加速相变材料的筛选过程。会后，研究所博士生冯金龙向相变领域专家Wuttig、Kolobov等人请教，在相变材料领域进行了深入的探讨与交流，并合影留念。