2018年10月29日上午，英国格拉斯哥大学Asen Asenov教授应我院王兴晟教授的邀请对信息存储材料与器件研究所进行学术访问和交流，并在国家光电科学研究中心A栋302室做了题为《Flash RRAM和分子存储晶体管的先进仿真》的学术报告，光学与电子信息学院信息存储材料与器件研究所的部分老师、研究生以及本科生积极参加了此次报告会。我院王兴晟教授主持了整个学术报告。
Asen Asenov教授刚开始简要介绍了英国格拉斯哥大学悠久璀璨的历史文化，该校器件建模组的一些研究工作以及GSS公司的发展大事年表，然后分别从“NAND闪存单元中的可变性仿真”，“NAND闪存单元中的泄漏仿真”，“POM NAND闪存单元的仿真”，“RRAM单元仿真”四个部分展开介绍，在第一部分中Asen Asenov教授通过使用TCAD仿真软件GARAND分析了闪存中个体可变性的来源，综合来源是由于阈值电压的非正态分布，然后又分析了单元形状和量子效应对RTN尾部分布的影响；在第二部分中Asen Asenov教授利用GARAND独特的Kinetic Monte Carlo可靠性模块精确模拟Flash中的电荷损失，介绍了如何进行动态电荷发射仿真，着重分析了在许多设备存在动态电荷损失的现象的原因：SILC电荷动态损失是由陷阱统计和3D静电主导；在第三部分中是利用GARAND仿真软件对分子存储晶体管进行模拟，并对RDD和POM可变性做了比较；第四部分是Asen Asenov教授着重介绍的部分，首先介绍了如何对RRAM单元进行仿真设计，然后从不同的角度论证了RRAM中电子和空穴的动态变化（即在不断进行擦写过程中的set和reset操作时）会引起自身热量的产生，是RRAM作为存储器面临的重要问题。整个学术报告在融洽愉悦的气氛中圆满结束，让参与报告的老师，研究生以及本科生受益匪浅！
报告人介绍：
Asen Asenov教授（IEEE会士，苏格兰爱丁堡皇家学会院士）是格拉斯哥大学詹姆斯.瓦特讲席教授，在著名的格拉斯哥器件建模组担任主任。指导开发了量子、蒙特卡洛和经典模型和工具，并将其应用于先进和革新CMOS器件的设计。他也是GSS公司的建立者和CEO，GSS在2016年被新思科技（Synopsys）收购后，他任职于格拉斯哥大学与新思科技。Asenov教授发表包括nature、science在内论文650多篇，谷歌学术引用11000多次，H指数49。
