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脉冲激光沉积系统(PLD)

【来源: | 发布日期:2017-07-10 】

 

 

设备名称

脉冲激光沉积系统

设备展示

 

 

设备简介

脉冲激光沉积由Twente Solid State Technology TSST B.V.公司研发,利用KrF准分子激光激发靶材,可在高真空条件下(~10-9mbar)于宽温区内(< 900 ºC)生长纳米结构。 同时,根据需求,可以提供生长气体, 如O2环境。适于精确控制组分,可用于薄膜制备,纳米结构生长,以及超晶格结构的制备等复杂微纳结构。

技术参数

1. 主腔

1) 真空系统: 机械泵+分子泵以保证理论最低真空度在~10-9mbar。

2) 分子泵正常工作状态:< 1 A 1 kHz。

3) 靶基距:55 mm。

4) 靶托:共有五个靶位,可同时生长五种不同材料。

5) 加热器:由铂铑合金制作,通过高温银浆或者特殊夹具粘合基板并借由铂铑合金热电偶加热。


2. 送样室: (PLD)

1) 真空系统: 机械泵+分子泵以保证理论最低真空度在~10-5mbar。

2) 分子泵正常工作状态:< 1 A 1 kHz。


3. 激光系统:(PLD)

1) 激光:KrF准分子激光 (248 nm)。

2) 激光能量可调范围:0 – 750 mJ。

3) 激光功率可调范围:0 – 7.5 W。

4) 激光频率可调范围:1 - 10 Hz。

5) 激光扫描方向:x与y方向。

6) 激光电压可调范围:22 – 27 V


4. 温控系统:

1) 控温范围:< 900ºC。

2) 升温速率:~40ºC/min。

3) 温度稳定性:具有PID自冷静调节机制。

4) 温度控制:升温可以直接由PC端通过软件控制。


注意事项

1. 挥发性材料与腐蚀性材料需要提前报备。

2. 靶材尺寸不能超过25 mm,厚度~ 50μm。

3. 加工适用于加工薄膜尺度小(一般为纳米级),粗糙度与组分精度要求高,同时对脉冲激光响应较明显的材料。