信息存储材料及器件研究所
当前位置: 首页 > 仪器设备 > 电学测量 > 正文

4200半导体特性分析仪

【来源:信息存储材料与器件研究所 | 发布日期:2017-06-28 】

设备名称

4200半导体特性分析仪

设备展示


 

设备简介

此设备来自美国吉时利公司,是一款能进行器件、材料或过程电气特性分析的模块化全集成参数分析仪。其研究应用领域包括:半导体材料和器件的研发、器件和工艺的参数监控、器件建模、半导体器件可靠性和寿命测试、高功率MOSFET、BJT等器件特性分析、光电子器件研究、非易失存储器测试、太阳能电池及光伏电池特性分析等。典型配置包括:4个高分辨率源测试单元(SMU)、4个电流前置放大器单元(电流可分辨到0.1fA,电流精度10fA)、一个电容-电压测量单元(CVU)、1套完整的脉冲I-V测试单元。

功能简介

I-V测量:SMU集4种功能于一体——电压源、电压表、电流源、电流表,可以向器件提供驱动电压同时测量电流,也可以向器件提供电流并测量电压,图形化的KITE软件可以轻松设定测试条件、设定电压或电流、被测点数、保护电压或电流值,完成各种I-V参数测试。SMU的数量与被测器件的端口数有关,原则上有几个端口就要配几个SMU。

C-V测量:扫频频率为1KHz-10MHz,扫描电压范围为0-±60V。C-V测量不仅是电容-电压的测量,更重要的是提供了完整的C-V分析数据库,很方便得到各种半导体物理量——氧化层厚度、栅面积、串联电阻、平带电容、电压、开启电压、体掺杂、有效氧化层电荷密度、可动电荷、金属-半导体功函数、德拜长度、体电势等。另外,对于超低频C-V测试,其频率范围为10mHz-10Hz,测量量程为1pF-10nF,AC信号为10mV-3V RMS,DC偏置为+/-20V。

脉冲I-V测试:超快I-V模块提供两个通道的高速,多阶脉冲电压输出,可同时测量电流和电压,它取代了传统的脉冲/测量的硬件配置。其关键参数包括:脉冲发生器(PG)模式下的最小脉宽是10ns; 在脉冲I-V模式下(加一个脉冲电压,同时测量电流的模式)的最短脉冲宽度是60ns,上升时间最短至20ns; 每个模块具有两个独立通道,每个通道能够同时测量电压和电流,采样率达5ns;当模块的任意波形模式用于多阶脉冲输出时,单个电压设定段最短至20ns,每通道波形具有2048个独立段;最大脉冲电压为±40V,最大电流为800mA,最小电流量程为100nA,测量精度为1nA。