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研究所三位学生获Lam Research论文奖

【来源: | 发布日期:2018-11-16 】

Lam Research 公司(泛林集团)为鼓励华中科技大学的学生从事半导体及相关设备技术之研发,特在光学与电子信息学院设立Lam Research-华中科技大学微电子论文奖。通过学生申请、专家评审,ISMD三篇论文获奖,其中吴倩倩获二等奖,靳苗苗和王卓睿同学获三等奖

硕士三年级学生吴倩倩在导师徐明教授和缪向水教授的指导下,在电子类知名期刊Advanced Electronic Materials上发表题为 “Increasing the atomic packing efficiency of phase change memory glass to reduce the density change upon crystallization” 的论文(封面)。文章通过对相变材料Ge-Sb进行C掺杂改性,有效的降低了材料相变前后的密度变化,提升存储器的循环使用寿命。此外还通过X光衍射、第一性原理计算等从微观原理解释了减小密度变化的机理,认为C原子通过在非晶Ge-Sb中形成更为紧密的四面体构型增加原子堆积效率从而降低密度变化。

硕士三年级学生靳苗苗在李祎老师的耐心指导和实验室同学的帮助下,和博士生程龙以共同一作的身份在Nanotechnology期刊中发表了题为 “Reconfigurable logic in nanosecond Cu/GeTe/TiN filamentary memristors for energy-efficient in-memory computing”的学术论文。从材料选择,器件制备,特性测试,机理分析到可重构逻辑应用,是一个比较系统的研究。该研究详细研究了Cu/GeTe/TiN器件的电阻切换机制,实现了纳秒级(< 60 ns)的开关速度;利用此器件设计实现的可重构IMP逻辑在低功耗方面展示了其巨大的优越性,并设计仿真验证了一种高效的一位全加器。研究结果为理解电阻开关机制,实现节能的内存计算机体系结构提供重要的研究进展。

2014级直博生王卓睿同学在导师缪向水教授和李祎老师的辛勤指导下,在微电子器件领域优秀期刊IEEE Transactions on Electron Devices发表标题为 “Efficient Implementation of Boolean and Full-Adder Functions With 1T1R RRAMs for Beyond Von Neumann In-Memory Computing” 的学术论文,文章主要提出了一种基于1T1R阵列的计算与存储架构,并以此实现了完备的布尔逻辑以及一系列复杂计算功能,为突破冯洛伊曼瓶颈提供了技术支持与可行性。