信息存储材料及器件研究所
当前位置: 首页 > 团队新闻 > 正文

ISMD博士生赴德参加MEMRISYS大会

【来源: | 发布日期:2019-07-18 】

存储材料、器件和系统国际会议(MEMRISYS)于2019年7月8日至7月11日在德国德累斯顿的国际会议中心举行,研究所博士生袁俊辉、李兆男、段念和林琪前往德国参加了本次会议。

为了克服传统CMOS工艺的局限性,存储技术开始在新型电路设计和制造中发挥主导作用。由于研究成果激增,专题期刊和会议集上的出版物越来越多,因此需要更多的跨学科交流,以便进一步发展最先进的技术。MEMRISYS 2019则通过将材料科学、忆阻理论、电子器件、电路、系统、计算和神经形态工程等基础研究整合到一个综合的国际会议中来解决这一需求,为该领域的发展带来了一个全新的视觉角度,展示和讨论了存储领域内最新的研究成果,并探索了未来的发展方向:从存储材料到器件、电路、系统和应用。

在本次会议中,研究所博士生林琪、段念和李兆男分别以选通管器件、光电突触器件和氧化物忆阻器为主题在忆阻器应用和表征的分会场做了口头报告;博士生袁俊辉以海报的形式展示了氧化物忆阻器界面计算的工作;研究所硕士生周越以铁电石墨烯晶体管作为突触器件的工作也入选了本次会议墙报工作,吸引了很多人关注。

会议间隙,学生们也参观感受了德国的景点文化,不仅学术上收获满满,也领略了不同地域的风土人情~