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由中国科协主办的"中国十大新锐科技人物" 评选活动，其主旨在于宣传中国一大批杰出的青年学者，展示其亮丽的科研成果，推动科研成果的普及与转化，并激励广大青年学者学生前行。自2015年推出以来，活动取得巨大的成功和热烈的反响，得到社会各界的广泛支持。五年来从候选人与获奖者中诞生了一大批冉冉升起的学术之星，其影响力、公信力和专业性，可见一斑。

近日，"2021中国十大新锐科技人物"评选结果揭晓，ISMD叶镭老师成功入选2021中国十大新锐科技人物。叶镭老师自2016年入职以来专注于信息器件及其片上集成研究方向，针对硅基集成密度已趋近其物理极限的瓶颈，另辟蹊径采用新型二维半导体与硅基异质集成的设计思路，利用新的调控机制、新的功能设计、新的集成框架，通过提升系统的功能集成度来规避系统的空间集成度面临的极限问题，实现了新型二维半导体信息器件及其片上集成。其感存算一体研究成果2021年在Science, Nature Communications, Advanced Materials等国际顶尖学术期刊上发表，提出了同质晶体管-存储器架构和新型类脑神经形态硬件，为未来颠覆性传感-存储-计算一体化的类脑智能和革命性非冯诺依曼计算体系奠定了坚实的器件和架构基础。

叶镭老师所在的缪向水教授团队，长期从事相变存储器芯片、存算一体忆阻器技术研究。2018年出版了国内第一本忆阻器专著《忆阻器导论》，2019年团队93项三维相变存储器芯片专利许可给芯片公司并合作开发产品，并与行业龙头企业华为公司等合作建立了联合实验室，推动存储器芯片技术的成果转化以及未来引领技术的探索。曾荣获国家科技进步奖2项、湖北省技术发明一等奖1项。