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【学术讲座】2018.9.20-Introduction to MOSFET and thin film transistor

【来源: | 发布日期:2018-09-18 】

Introduction to MOSFET and thin film transistor

纳米晶体管与薄膜晶体管简介

时 间: 2018年9月20日14 : 30 - 16 : 00

地 点: 南五楼612学术报告厅

报告人: 张鼎张 教授 台湾中山大学

邀请人: 缪向水 教授

报告摘要:

近年来,更快速、更便利的智能型便携设备,如智能手机、平板等涌入人们生活,为人们创造着更智能和更便捷的生活。这其中,纳米电子和平面显示屏的发展功不可没。而无论是纳米电子或平面显示屏,其最核心的组件就是“金氧半场效晶体管(MOSFET)”,晶体管每年遵循着穆尔定律(Moore law),每一代晶体管微缩0.7倍,容量变成4倍,但价钱不变。而平面显示屏部分,主要是在玻璃上或者是柔性塑料基板上制作薄膜晶体管,作为驱动LCD与OLED等显示介质主要的核心器件,也意味着薄膜晶体管是影响平面显示屏发展的主要核心技术。纳米电子与平面显示屏皆为台湾蓬勃发展的重要产业,产值都突破上兆元,为台湾的重点发展产业。本次演讲主要是讲解纳米晶体管与薄膜晶体管的原理与趋势,此外,本次演讲也将分享报告人和台湾业界的产学合作经验。

报告人介绍:

张鼎张,男,博士,台湾中山大学物理学系教授,博士生导师。长期从事半导体元件物理、记忆体元件、薄膜晶体管元件及先进晶体管元件的研究工作。多年来已成功研发多种先进前瞻晶体管、记忆体元件及显示器组件,与台湾的大厂商如台积电(TSMC)、联电(UMC)、友达光电(AUO)、群创光电(InnoLux)等公司有密切合作,共同合作研发前瞻半导体元件。张教授的研究以元件物理机制为学术基础,能有效厘清新世代电子组件的瓶颈与复杂问题,进而突破瓶颈并解决问题,总体研发成果十分丰硕。其团队发表SCI国际期刊论文400余篇,特别是在电子器件顶尖国际期刊IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS上,每年发表数量均领先全球,近五年发表数量达48篇(占总数量约~2 %),为世界电子组件领域杰出研究团队群之一。相关研究获得180余项发明专利(含美国专利49项),大部分专利经由产学合作计划转移给合作公司。由于其丰硕的研究成果对产业发展的贡献,先后获得台湾科技部“杰出研究奖”、台湾教育部“产学合作奖”、台湾经济部“第四届产业创新奖”和“第八届纳米产业科技精英奖”以及中国工程师协会“杰出工程教授奖”。