用于强化学习的可重构双WSe2晶体管突触单元
研究所物理不可克隆函数研究工作登《先进电子材料》封面
LiAlOx高性能忆阻突触研究刊登Nanoscale封面
新型相变存储材料刊登《JMCC》封面
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蔡少棠忆阻器研究中心成立大会在华科成功举办
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Adv.Funct.Mater.刊登忆阻存算一体化研究
IEEE顶级会议IEDM接收研究所类脑计算工作
教师节| 愿ISMD所有老师桃李满天下
ISMD师生获全国大学生IC大赛一等奖
两支ISMD队伍参加中国创“芯”大赛获佳绩
ISMD博士生赴德参加MEMRISYS大会
优秀毕业生风采 | 黄卓：奋力追梦，青春无悔
我校收到Synopsys公司对国内最大一笔TCAD/EDA软件捐赠
台湾中山大学陈英忠副校长一行访问我校
